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Batop可饱和吸收镜
型号命名规则：镜子型号(SAM/RSAM/SOC/SA/FS-SANOS)-λ-A-τ-x
• 镜子型号 – SAM：半导体可饱和吸收镜；RSAM：共振可饱和吸收镜；SOC：可饱和吸收耦合输出镜；SA：可饱和吸收体；FS-SANOS：可饱和体噪声去除腔；
• λ – 中心波长
• A – 饱和吸收率
• τ – 弛豫时间
• x – 封装类型
可选封装类型 | 定义： |
x = 4.0-0 x = 1.0b-0 x = 1.3b-0 x = 4.0-12.7g-c / e x = 4.0-12.7s-c / e x = 4.0-25.0g-c / e x = 4.0-25.0s-c / e x = 4.0-25.4g-c / e x = 4.0-25.4s-c / e x = 4.0-25.0w-c / e x = 4.0-25.0h-c / e x = FC/(A)PC-SMF x = FC/(A)PC-PMF | 4.0：芯片面积4.0 mm x 4.0 mm 1.0b：四个面积为1.0 mm x 1.0 mm的芯片组 1.3b：四个面积为1.3 mm x 1.3 mm的芯片组 0：未封装的裸芯片 12.7/25.0/25.4：镀金铜柱底座的直径(mm) g：粘在镀金铜柱上 s：焊在镀金铜柱上 w：焊在水冷镀金铜柱上 h：薄膜焊在水冷镀金铜柱上，适合大功率应用 c：中心封装 e：边缘封装 FC/(A)PC-SMF：安装在1 m 长的单模光纤一端。 FC/(A)PC-PMF：安装在1 m 长的保偏光纤一端。 |
一、半导体可饱和吸收镜SESAM
可饱和吸收镜 (SAM)是一个非线性反射镜。反射率随着脉冲能量的增加而增加。使用可饱和吸收镜，可以实现具有非常稳定的脉冲重复率的主动、被动锁模二极管泵浦激光器。
用于固态和光纤激光器的 SAM 可提供从 800 nm 到 3 µm 波长的宽光谱区域。
也可以使用 SAM 作为非线性光学器件来实现 Q 开关微芯片激光器。
波长范围 | 中心波长 | 饱和吸收率A0 | 弛豫时间τ |
790 - 830 nm | 800 nm | 1% -32 %可选 | 1ps, 5ps |
910 - 990 nm | 920 nm | 20% - 45 %可选 | 0.5, 1, 3ps可选 |
940 nm | 4% - 68 %可选 | 1, 2ps可选 | |
980 nm | 3% -70 %可选 | 0.5, 1ps可选 | |
1020 - 1150 nm | 1040 nm | 1% -65 %可选 | 0.5 - 35ps可选 |
1064 nm | 0.7% - 70%可选 | 0.5 - 240ps可选 | |
1100 nm | 30% - 90%可选 | 500fs | |
1110 - 1320 nm | 1150 nm | 3% - 32%可选 | 0.5, 1ps可选 |
1300 nm | 4% - 12%可选 | 10ps | |
1320 - 1460 nm | 1340 nm | 1% - 15%可选 | 1ps |
1420 nm | 1%, 4%可选 | 10ps | |
1470 - 1660 nm | 1510 nm | 4% - 23%可选 | 2, 10ps |
1550 nm | 3% - 55%可选 | 1,5 - 18ps可选 | |
1645 nm | 2% - 50%可选 | 2ps | |
1900 - 2600 nm | 1920 nm | 2% - 36%可选 | 2ps |
1960 nm | 3% - 54%可选 | 10ps | |
2000 nm | 2% - 50%可选 | 10ps | |
2400 nm | 1%, 1.5%可选 | 10ps | |
2700 - 3200 nm | 2800 nm | 14%, 24%, 34%可选 | 10ps |
3000 nm | 9%, 33%可选 | 10ps |
命名规则：SAM-λ-A-τ-x
例：SAM-800-1-5ps-4.0-12.7s-c
描述：半导体可饱和吸收镜，中心波长800nm，饱和吸收率1%，弛豫时间5ps，芯片面积4.0 mm x 4.0 mm，焊在直径为12.7mm的镀金铜柱中心。
二、共振可饱和吸收镜RSAM
共振可饱和吸收镜 (RSAM) 是一种非线性光学器件，与可饱和吸收镜 (SAM) 类似，但具有更大的可饱和吸收、更小的带宽和更低的饱和注量。对像噪声这样的弱光信号具有非常低的反射率，而对像光脉冲这样的高功率信号具有高反射率。光脉冲使 RSAM 谐振腔内的吸收材料饱和。由于吸收材料的恢复时间短，RSAM在反射脉冲后立即阻断光学噪声层。
RSAM可用于光学噪声抑制以及光光波长转换。
波长范围 | 中心波长 | 饱和吸收率A0 | 弛豫时间τ | 饱和通量Φsat |
975 - 984nm | 980nm | 99% | 1ps | 15 µJ/cm2 |
1030nm | 1030nm | ≥99% | 1ps | 50 µJ/cm2 |
1056 - 1064 | 1064nm | ≥99% | 32ps | 30 µJ/cm2 |
1050 - 1064 | 1064nm | 99% | 9ps | 15 µJ/cm2 |
1550nm | 1550nm | 98% | 10ps | 15 µJ/cm2 |
1560nm | 1560nm | 95% | 100ps | 20 µJ/cm2 |
命名规则：RSAM-λ-τ-x
例：RSAM-980-1ps-4.0-25.0g-e
描述：共振可饱和吸收镜，中心波长980nm，弛豫时间1ps，芯片面积4.0 mm x 4.0 mm，粘在直径为25.0mm的镀金铜柱边缘。
三、可饱和吸收耦合输出镜SOC
可饱和吸收耦合输出镜SOC由一个部分反射镜和一个可饱和吸收器组成。反射镜和吸收体的单晶层生长在未掺杂的 GaAs 晶片上。SOC可以用于自启动、被动锁模二极管泵浦固态激光器。在使用 SOC 而不是 SAM 进行被动锁模的情况下，可以通过激光腔的二向色镜提供光泵功率。
中心波长 | 饱和吸收率A0 | 饱和透过率T | 弛豫时间τ |
1030nm | 0.5% | 3 % | 1ps |
1040nm | 2% - 24%可选 | 0.5% - 19%可选 | 1ps, 15ps可选 |
1064nm | 1% - 22%可选 | 0.3% - 23%可选 | 1, 15, 17, 20ps可选 |
2000nm | 26%, 40%可选 | 19%, 20%, 28%可选 | 10ps |
命名规则：SOC-λ-A-T-τ-x
例：SOC-1040-3-4-1ps- 5.0-25.4g
描述：可饱和吸收耦合输出镜，中心波长1040nm，饱和吸收率3%，饱和透过率4%，弛豫时间5ps，芯片面积5.0 mm x 5.0 mm，粘在直径为 25.4 mm的镀金铜柱上。
四、可饱和吸收体SA
可饱和吸收体SA 由半绝缘（透明）GaAs 晶片上的可饱和吸收层组成。SA的两面都镀有针对激光波长的抗反射 (AR) 涂层。SA是非线性吸收器，透射率随着脉冲能量的增加而增加。SA的典型饱和通量高于SAM，散热效率低于 SAM。
可饱和吸收体 (SA)可实现非常稳定的自启动、被动锁模激光器。主要用于1030 nm - 2800 nm光纤激光器锁模。SA也可用于环形激光器。
波长范围 | 中心波长 | 饱和吸收率A0 | 弛豫时间τ |
980 - 1040 nm | 1020 nm | 40 % | 500fs |
1000 - 1040 nm | 1030 nm | 34 % | 3ps |
1000 - 1100nm | 1064nm | 14 %, | 28ps |
1050 - 1090nm | 1064nm | 25 % | 500fs |
1000 - 1100nm | 1064nm | 26% | 37ps |
1030 - 1090nm | 1064nm | 40 % | 500fs |
1340nm | 1340 | 22%, | 20ps |
1550nm | 1550 | 6%, | 20ps |
1400 - 1600nm | 1550nm | 35 - 58% | 2ps |
1900 – 2100nm | 2000nm | 1% | 10ps |
1800 – 2200nm | 2000nm | 25%, 43% | 10ps |
2500 – 3000nm | 2800nm | 10% | 10ps |
命名规则：SA-λ-A-τ-x
例：SA-1030-34-3ps-5.0-25.4g-e
描述：可饱和吸收体，中心波长1030nm，饱和吸收率34%，弛豫时间3ps，芯片面积5.0 mm x 5.0 mm，粘在直径为 25.4 mm的镀金铜柱边缘。
五、可饱和体噪声去除腔SANOS
Free space SANOS(FS-SANOS)：
Fiber coupled SANOS (FC-SANOS)：
SANOS 的中心元件是一个共振振可饱和吸收镜 (RSAM)。利用RSAM对弱的噪声信号具有低反射率，对强的输出光信号具有高反射率的特点起到噪声去除的作用。SANOS有自由空间和光纤耦合两种封装形式。
SANOS主要用于光学噪声抑制，例如在放大器或脉冲选择器之后。注意其噪声抑制只能在共振波长处进行。
型号 | 中心波长nm | 弛豫时间τ | 损耗dB | 噪声去除率dB |
FS-SANOS-1064-9ps-1 | 1064nm | 9ps | 3dB | 12dB |
FS-SANOS-1064-9ps-2 | 1064nm | 9ps | 6dB | 20dB |
FC-SANOS-15XX-x | 1530-1560nm | 5ps | 3dB | 10dB |
FC-SANOS-15XX-x-TEC | 1530-1560nm | 5ps | 3dB | 10dB |
注：-1: 配备了一块饱和吸收体，-2：配备了2块饱和吸收体，-TEC：把饱和吸收体附在TEC制冷片上
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